王偉華
副研究員
ORCID Profile
| Email: | wwang[at]sinica.edu.tw |
| Office: | R208 |
| Tel: | +886-2-2366-8208 |
| Lab: | 213 |
| Lab Tel: | +886-2-2366-8213 |
| Nanodevice Physics Laboratory | |
研究興趣
- 製備低維度奈米元件,並研究其電子的傳輸性質及其應用
- 研究弱自旋軌道耦合材料如石墨薄片,並探究其自旋相關傳輸性質
研究概述
王偉華博士研究團隊的研究重點為二維材料的奈米級元件的電子傳輸和光電特性。透過結合兩種或多種不同的二維材料形成凡德瓦異質結構,為探索新物理特性和潛在應用提供前所未有的機會,而這些物理特性和功能只能透過二維材料的獨特性質來實現。由於二維材料的橫向鍵結和原子等級的厚度,可望實 現不同於傳統材料的傳輸和光電特性。研究團隊專注於研究二維半導體,這些二維半導體的可饒性和透明度,使其有潛力在奈米電子學領域加入新的功能。研究團隊開發新的元件製造技術,以展示使用 這些基於二維材料的奈米級元件來增強電子傳輸特性和控制光電特性,包括展示了透過與二維半導體側面的邊緣金屬電接觸,增強了二維半導體場效電晶體的性能,從而允許完全封裝通道材料。由於缺 乏可行的界面化學分析方法,研究團隊開發一種定向角度蝕刻技術來分析邊緣電接觸中的金屬與二維 半導體界面的化學狀態,從而得以有效的製造二維半導體場效電晶體的邊緣金屬電接觸,對於二維材料的物理研究和應用都很重要。此外透過探索凡德瓦異質結構,得以研究單層二維半導體的特殊光學 性質,發現在原子級厚度的二維半導體內有很強的激子與聲子的耦合,可用於操縱二維半導體光電元 件中的暗激子。研究團隊透過製備具有廣泛物理特性的二維材料異質結構,專注於精確地控制二維材 料的材料與結構,並研究這些元件的物理特性與應用。
學歷
- 民國84年,台灣大學物理系學士
- 民國88年,台灣大學物理所碩士
- 民國94年,美國賓州州立大學物理所博士
經歷
- 民國94至97年,美國加州州立大學河濱分校物理系 博士後研究員
- 民國97年至105年,中央研究院原子與分子科學研究所 助研究員
- 民國105年迄今,中央研究院原子與分子科學研究所 副研究員
代表著作
- “Interfacial elemental analysis of slanted edge-contacted monolayer MoS2 transistors via directionally angled etching” Chia-Chun Lin, Naomi Tabudlong Paylaga, Chun-Chieh Yen, Yu-Hsuan Lin, Kuang-Hsu Wang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Chi-Te Liang, Shao-Yu Chen, Wei-Hua Wang*, ACS Nano 19(4) (2025) P. 4452
- “Monolayer indium selenide: an indirect bandgap material exhibits efficient brightening of dark excitons” Naomi Tabudlong Paylaga, Chang-Ti Chou, Chia-Chun Lin, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Raman Sankar, Yang-hao Chan*, Shao-Yu Chen*, Wei-Hua Wang*, npj 2D Materials and Applications 8 (2024) P. 12
- “Determining the electron scattering from interfacial Coulomb scatterers in two-dimensional transistors” Yi-Te Lee, Yu-Ting Huang, Shao-Pin Chiu, Ruey-Tay Wang, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Raman Sankar, Chi-Te Liang, Wei-Hua Wang*, Sheng-Shiuan Yeh*, Juhn-Jong Lin, ACS Applied Materials & Interfaces 16(1) (2024) P. 1066-1073
- “Phase modulation of self-gating in ionic liquid-functionalized InSe field-effect transistors” Chih-Yi Cheng, Wei-Liang Pai, Yi-Hsun Chen, Naomi Tabudlong Paylaga, Pin-Yun Wu, Chun-Wei Chen, Chi-Te Liang, Fang-Cheng Chou, Raman Sankar, Michael S. Fuhrer, Shao-Yu Chen*, and Wei-Hua Wang*, Nano Letters 22(6) (2022) P. 2270-2276
- “Oxidized-monolayer Tunneling Barrier for Strong Fermi-level Depinning in Layered InSe Transistors” Yi-Hsun Chen, Chih-Yi Cheng, Shao-Yu Chen, Jan Sebastian Dominic Rodriguez, Han-Ting Liao, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Chun-Wei Chen, Raman Sankar, Fang-Cheng Chou, Hsiang-Chih Chiu, and Wei-Hua Wang*, npj 2D Materials and Applications, 3 (49) (2019) P. 1–7
- “High-performance InSe transistors with ohmic contact enabled by nonrectifying-barrier-type indium electrodes” Yu-Ting Huang, Yi-Hsun Chen, Yi-Ju Ho, Shih-Wei Huang, Yih-Ren Chang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hsiang-Chih Chiu, Chi-Te Liang, Raman Sankar, Fang-Cheng Chou, Chun-Wei Chen*, and Wei-Hua Wang*, ACS Applied Materials & Interfaces, 10 (39) (2018) P. 33450–33456